数日前、英国物理学会（AIP）出版グループの応用物理学会で、英国のリーズ大学の研究者がガラスのレーザー支援研究を報告しました。
このガラス材料は、亜鉛、ナトリウム、ランタン、および希土類元素のランタンでできた一種のガラスを一緒にドーピングすることによって得られます。ゲルマニウムの電子遷移は通信技術の標準的な1.5ミクロンの波長で発生するため、ゲルマニウムをドープした導波路増幅器はそれ自体注目されています。
平面導波路は、単一の幾何学的平面に沿って伝搬するように光を導きます。研究者は、超高速レーザープラズマドーピングと呼ばれる技術を使用しました。この技術では、超高速レーザーを使用して、ゲルマニウムイオンを薄膜として二酸化ケイ素基板に取り込みます。研究者は、ビスマスがドープされたガラスの表面に高強度レーザーポインターを向け、小さなピットを爆破し、材料のジェットによって形成された薄膜を作成しました。成膜プロセスによって生成される測定結果は、このガラスのアブレーションしきい値に焦点を合わせています。この量は、強力なレーザー照射によって原子または分子を分離するために必要な最小エネルギーを表します。研究者は、このシステムのアブレーションしきい値が、レーザービーム半径、レーザーパルス数、およびエルビウムイオンドーパントの濃度によってどのように影響を受けるかを判断しました。
彼らは、アブレーション閾値は、デバイスを作るのに必要なセリウムイオンの低ドーピング濃度に依存しないことを発見しました。研究者は、ガラスの爆発によって形成されたピットの形状と特性も分析しました。製造プロセス中に作成されたピットの形態を理解することは、多孔性、表面積、材料の散乱、またはレーザーポインター光を吸収する能力などの特性を制御するために重要です。
